Científicos en Japón han desarrollado un transistor de carburo de silicio capaz de operar a 600 grados Celsius (1110 grados Fahrenheit). Este avance aborda las limitaciones de los transistores de alta temperatura anteriores y podría permitir sondas de superficie más duraderas en Venus, donde las temperaturas pueden alcanzar los 460 grados Celsius (860 grados Fahrenheit).
El nuevo dispositivo es un transistor de efecto de campo de unión (JFET), elegido por sus niveles de ruido más bajos en comparación con los transistores de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) más comunes. Si bien los JFET suelen ser más difíciles de reducir de tamaño, evitan problemas con las capas de óxido que pueden causar interferencias. Los investigadores detallaron su trabajo en un estudio publicado el 17 de agosto en *APL Electronic Devices*.
Las sondas Venus anteriores, como la Venera 13 soviética, se han visto limitadas por el fallo de la electrónica basada en silicio, sobreviviendo solo durante unas pocas horas. El equipo de investigación señala que los circuitos integrados de carburo de silicio son “particularmente atractivos para entornos extremos, como la exploración en aguas profundas, la perforación geotérmica y el control de motores aeroespaciales, donde los circuitos integrados convencionales basados en silicio no pueden operar de manera confiable”.
Los recientes desarrollos de JFET de carburo de silicio se han enfrentado a desafíos con la controlabilidad y las fugas de corriente. Los científicos descubrieron que dopar el sustrato de carburo de silicio con otros átomos puede causar variaciones en el campo eléctrico a altas temperaturas, lo que hace que el transistor sea menos confiable. Descubrieron que esto podría desplazar los umbrales de voltaje JFET convencionales en más de 2 voltios. Además, por encima de 350 grados Celsius (660 grados Fahrenheit), el sustrato de carburo de silicio puede volverse menos ele…
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